产物分类CLASSIFICATION
1000度陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性
1100度陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性
1200度陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性
1300度陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性
1400度陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性
陶瓷排蜡烧结炉适用范围: 氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化锆、介质陶瓷和精细陶瓷元件的脱脂和预烧结一体化工艺,也可以用于陶瓷粉体材料、磁性材料、LTCC,MLCC,NTC,NFC,陶瓷芯等其他电子元器件的排胶、预烧和烧结工艺,采用硅碳棒加热,采用热场控制方式使得低温排胶和高温预烧的温场均匀性好,保证了排胶和烧结两个工艺段所需要的温场均匀性